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BTB1386M3 参数 Datasheet PDF下载

BTB1386M3图片预览
型号: BTB1386M3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 172 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C815M3  
Issued Date : 2005.03.25  
Revised Date : 2005.10.20  
Page No. : 3/5  
CYStech Electronics Corp.  
Characteristic Curves  
Current Gain vs Collector Current  
Saturation Voltage vs Collector Current  
1000  
100  
10  
10000  
1000  
100  
VCESAT  
VCE=2V  
IC=100IB  
IC=40IB IC=50IB  
VCE=1V  
IC=30IB  
10  
1
1
0
10  
100  
1000  
10000  
10000  
6
1
10  
100  
1000  
10000  
Collector Current---IC(mA)  
Collector Current---IC(mA)  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Output Characteristics  
10000  
1000  
100  
5
4.5  
4
IB=20mA  
VBESAT@IC=10IB  
3.5  
3
IB=10mA  
IB=6mA  
2.5  
2
1.5  
1
IB=4mA  
IB=2mA  
0.5  
0
IB=0  
10  
100  
1000  
0
2
4
Collector-to-Emitter Voltage---VCE(V)  
6
Collector Current---IC(mA)  
Output Characteristics  
Power Derating Curves  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
2.5  
2
IB=50mA  
See note 2 on page 1  
1.5  
1
IB=25mA  
IB=20mA  
IB=15mA  
IB=10mA  
0.5  
0
IB=5mA  
IB=0  
1
2
3
4
5
0
50  
100  
150  
200  
Collector-to-Emitter Voltage---VCE(V)  
Ambient Temperature---TA(℃)  
BTB1386M3  
CYStek Product Specification