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BTB1386LN3 参数 Datasheet PDF下载

BTB1386LN3图片预览
型号: BTB1386LN3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 170 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C851N3  
Issued Date : 2004.02.27  
Revised Date : 2004.07.01  
Page No. : 3/4  
CYStech Electronics Corp.  
Characteristic Curves  
Current Gain vs Collector Current  
Saturation Voltage vs Collector Current  
1000  
10000  
1000  
100  
10  
VCE=5V  
VCE(SAT)  
IC=100IB  
IC=60IB  
100  
VCE=2V  
VCE=1V  
IC=30IB  
IC=10IB  
1
10  
1
10  
100  
1000  
10000  
1
10  
100  
1000  
10000  
Collector Current---IC(mA)  
Collector Current---IC(mA)  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Power Derating Curve  
10000  
250  
200  
150  
100  
50  
VBE(SAT) @ IC=10IB  
1000  
100  
0
1
10  
100  
1000  
10000  
0
50  
100  
150  
200  
Collector Current---IC(mA)  
Ambient Temperature---TA(℃)  
BTB1386LN3  
CYStek Product Specification  
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