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BTB1216J3 参数 Datasheet PDF下载

BTB1216J3图片预览
型号: BTB1216J3
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内容描述: PNP外延平面大电流(高性能)晶体管 [PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 255 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C811J3  
Issued Date : 2008.12.10  
Revised Date : 2009.02.04  
Page No. : 2/7  
CYStech Electronics Corp.  
Characteristics  
(Ta=25°C, unless otherwise specified)  
Symbol  
BVCBO  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
-180  
-140  
-6  
-
-
-
-
-
-210  
-170  
-8  
-
-
-40  
-70  
-110  
-270  
-930  
-830  
200  
200  
140  
10  
-
-
-
V
V
V
IC=-100μA  
IC=-10mA  
IE=-100μA  
VCB=-150V  
VEB=-6V  
*BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-50  
-10  
-60  
-120  
-150  
-370  
-1110  
-950  
-
400  
-
-
-
-
nA  
nA  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
-
IEBO  
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
1
IC=-100mA, IB=-5mA  
IC=-500mA, IB=-50mA  
IC=-1A, IB=-100mA  
IC=-3A, IB=-300mA  
IC=-3A, IB=-300mA  
VCE=-5V, IC=-3A  
VCE=-5V, IC=-10mA  
VCE=-5V, IC=-1A  
VCE=-5V, IC=-3A  
2
3
4
-
-
-
*VBE(sat)  
*VBE(on)  
hFE1  
*hFE2  
*hFE3  
*hFE4  
fT  
100  
150  
75  
-
-
-
-
-
-
VCE=-5V, IC=-10A  
VCE=-10V, IC=-100mA, f=50MHz  
VCB=-20V, f=1MHz  
110  
40  
MHz  
pF  
Cob  
*Pulse Test: Pulse Width 380μs, Duty Cycle2%  
Classification Of hFE2  
Rank  
R
S
Range  
150~300  
200~400  
Ordering Information  
Device  
Package  
TO-252  
(RoHS com pliant)  
Shipping  
Marking  
BTB1216J3  
2500 pcs / Tape & Reel  
B1216  
BTB1216J3  
CYStek Product Specification