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BTA1952J3_09 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTA1952J3_09
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 232 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C601J3  
Issued Date : 2004.05.17  
Revised Date :2009.02.04  
Page No. : 3/6  
CYStech Electronics Corp.  
Characteristic Curves  
Current Gain vs Collector Current  
Saturation Voltage vs Collector Current  
1000  
1000  
100  
10  
VCE=4V  
VCE(SAT)@IC=10IB  
1
100  
1
10  
100  
1000  
10000  
1
10  
100  
1000  
10000  
Collector Current---IC(mA)  
Collector Current---IC(mA)  
On Voltage vs Collector Current  
Power Derating Curve  
10000  
1000  
100  
1.2  
1
VBE(on)@VCE=4V  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0
50  
100  
150  
200  
0.1  
1
10  
100  
1000  
10000  
Ambient Temperature---TA(℃)  
Collector Current---IC(mA)  
Power Derating Curve  
12  
10  
8
6
4
2
0
0
50  
100  
150  
200  
Case Temperature---TC(℃)  
BTA1952J3  
CYStek Product Specification