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BTA1952I3 参数 Datasheet PDF下载

BTA1952I3图片预览
型号: BTA1952I3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 215 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C601I3  
Issued Date : 2005.10.14  
Revised Date : 2009.02.04  
Page No. : 2/ 5  
CYStech Electronics Corp.  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-100  
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
μA  
μA  
V
V
-
-
IC=-50μA, IE=0  
IC=-10mA, IB=0  
IE=-50μA, IC=0  
VCB=-100V, IE=0  
VEB=-5V, IC=0  
IC=-3A, IB=-0.15A  
IC=-3A, IB=-0.15A  
VCE=-1V, IC=-1A  
VCE=-1V, IC=-3A  
-60  
-5  
-
-
-
-1  
-1  
-0.6  
-1.2  
240  
-
IEBO  
-
*VCE(sat)  
*VBE(sat)  
*hFE 1  
*hFE 2  
fT  
-0.45  
-
-
-
-
70  
30  
-
60  
-
MHz  
VCE=-4V, IC=-1A, f=30MHz  
*Pulse Test : Pulse Width 380μs, Duty Cycle2%  
Ordering Information  
Device  
Package  
TO-251  
Shipping  
Marking  
A1952  
BTA1952I3  
80 pcs / tube, 50 tubes / box  
(RoHS compliant)  
BTA1952I3  
CYStek Product Specification  
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