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BTA1952E3 参数 Datasheet PDF下载

BTA1952E3图片预览
型号: BTA1952E3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 149 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C601E3-A  
Issued Date : 2004.09.16  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 2/4  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCEO  
-80  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
µA  
µA  
V
IC=-10mA, IB=0  
VCB=-100V, IE=0  
VEB=-5V, IC=0  
ICBO  
-
-10  
-10  
-0.6  
-0.8  
-1.3  
-1.5  
-
IEBO  
-
-
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
*VBE(sat)  
*hFE 1  
*hFE 2  
fT  
IC=-1A, IB=-10mA  
-
V
IC=-3A, IB=-150mA  
IC=-4A, IB=-200mA  
IC=-3A, IB=-150mA  
VCE=-3V, IC=-500mA  
VCE=-2V, IC=-1A  
-
V
-
V
100  
120  
10  
-
390  
-
-
MHz  
VCE=-4V, IC=-1A, f=1MHz  
*Pulse Test : Pulse Width 380µs, Duty Cycle2%  
Classification of hFE 2  
Rank  
Q
R
Range  
120~270  
180~390  
Ordering Information  
Device  
Package  
TO-220AB  
Shipping  
Tube  
BTA1952E3  
BTA1952E3  
CYStek Product Specification