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BTA1727J3-0-T3-G 参数 Datasheet PDF下载

BTA1727J3-0-T3-G图片预览
型号: BTA1727J3-0-T3-G
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内容描述: [High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 433 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C236J3  
Issued Date : 2018.05.29  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 3/7  
Typical Characteristics  
Current Gain vs Collector Current  
Saturation Voltage vs Collector Current  
1000  
10000  
1000  
100  
VCESAT  
VCE=10V  
IC=30IB  
100  
VCE=5V  
IC=10IB  
IC=20IB  
10  
10  
1
10  
100  
1000  
1
10  
100  
Collector Current ---IC(mA)  
Collector Current ---IC(mA)  
Transition Frequency vs Collector Current  
Saturation Voltage vs Collector Current  
100  
10000  
VCE=10V  
VBESAT@IC=10IB  
1000  
100  
10  
1
10  
100  
1000  
1
10  
100  
Collector Current--- IC(mA)  
Collector Current--- IC(mA)  
Capacitance Characteristics  
Power Derating Curve  
1000  
100  
10  
1.2  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
Cib  
Cob  
f=1MHz  
1
0
50  
100  
150  
Ambient Temperature---TA(℃)  
200  
0.1  
1
10  
Reverse-biased Voltage---(V)  
100  
BTP1727J3  
CYStek Product Specification