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BTA1012E3 参数 Datasheet PDF下载

BTA1012E3图片预览
型号: BTA1012E3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 148 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C601E3  
Issued Date : 2004.07.26  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 2/4  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCEO  
-50  
-
-
-10  
-10  
-0.4  
-1.2  
240  
-
V
µA  
µA  
V
IC=-10mA, IB=0  
VCB=-50V, IE=0  
VEB=-5V, IC=0  
ICBO  
-
-
IEBO  
-
-
*VCE(sat)  
*VBE(sat)  
*hFE 1  
*hFE 2  
fT  
-
-
IC=-3A, IB=-0.15A  
IC=-3A, IB=-0.15A  
VCE=-1V, IC=-1A  
VCE=-1V, IC=-3A  
-
-
V
70  
30  
10  
-
-
-
-
-
-
-
MHz  
µs  
µs  
µs  
VCE=-4V, IC=-1A, f=1MHz  
ton  
0.2  
1
-
VCC=-30V, IC=-3A, IB1=-IB2=0.15A,  
PW=20µs  
tstg  
-
-
-
tf  
0.2  
-
*Pulse Test : Pulse Width 380µs, Duty Cycle2%  
Classification of hFE 1  
Rank  
O
Y
Range  
70~140  
120~240  
BTA1012E3  
CYStek Product Specification