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BSS84S6R-0-T1-G 参数 Datasheet PDF下载

BSS84S6R-0-T1-G图片预览
型号: BSS84S6R-0-T1-G
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内容描述: 双P沟道MOSFET [Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 305 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C465S6R  
Issued Date : 2012.12.25  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 5/ 8  
Typical Characteristics(Cont.)  
Power Derating Curves  
Typical Transfer Characteristics  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
-VDS=10V  
Single  
Dual  
Mounted on FR-4 board  
with 1 in² pad area  
0
0
20  
40  
60  
80 100 120 140 160  
0
1
2
3
4
5
6
TA, Ambient Temperature(℃)  
-VGS, Gate-Source Voltage(V)  
Transient Thermal Response Curves  
1
D=0.5  
0.2  
0.1  
1.RθJA(t)=r(t)*RθJA  
0.1  
1
2
2.Duty Factor, D=t /t  
3.TJM-TC=PDM*ZθJC(t)  
=415  
0.05  
4.RθJA  
°C/W  
0.02  
0.01  
0.01  
0.001  
Single Pulse  
1.E-02  
1.E-04  
1.E-03  
1.E-01  
1.E+00  
1.E+01  
1.E+02  
1.E+03  
t1, Square Wave Pulse Duration(s)  
BSS84S6R  
CYStek Product Specification