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    FDBL86062-F085

     N沟道，PowerTrench®MOSFET，100V，300A，2.0mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GRM0332C2A9R6DA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM188R71E105MA12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FDD86252

     N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150 V，27 A，52 mΩ
    开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    PSMN1R0-30YLC

     N-channel 30 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technologyProduction
    开关脉冲晶体管
    0 NEXPERIA

    IPB65R155CFD7

     英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R155CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。
    电站栅服务器电信栅极
    0 INFINEON

    FAN7346MX

     LED 电流平衡控制器，用于照明，4 沟道
    驱动控制器光电二极管接口集成电路
    0 ONSEMI

    NVBLS1D7N10MCTXG

     N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 300A, 1.5mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    FS150R17N3E4

     EconoPACK™ 3 1700 V，150 A 六单元 IGBT 模块，采用第四代快速TRENCHSTOP™ IGBT、第四代发射极控制二极管和NTC 温度检测 。还可提供采用压接技术的型号：FS150R17N3E4_B11.
    双极性晶体管二极管
    0 INFINEON

    SLF 9630

     即用型 CIPURSE™SAM，基于高性能 SLE 78 安全控制器
    控制器
    1 INFINEON

    GQM22M5C2H510GB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GQM1555C2D6R1BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0335C2A8R2BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM55RB11H125JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    BSC077N12NS3 G

     120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实现卓越性能。120V OptiMOS™ 技术带来全新可能性，帮助实现优化解决方案。
    开关
    0 INFINEON

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