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IGBT HighSpeed 3
双极性晶体管
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10-FY07HVA050RG-L984F88

High efficiency in hard switching and resonant topologies;High speed switching;Low gate charge
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GRM31A5C2J151JW01#

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SCS308AH

可降低开关损耗,可高速开关。 SiC支持页面评估板, 文件 应用实例介绍罗姆制SiC元器件 何谓SiC功率元器件?电子小知识#banner-area a:link {text-decoration
电子开关
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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ISP26DP06NMS

OptiMOS™ P-channel small signal MOSFETs 60V in SOT-223 package is the new technology targeted for consumer applications. The main advantage of a P-channel small signal device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Enabling fast switching, avalanche ruggedness and an easy interface to microcontroller unit (MCU), also featuring a very low on-resistance RDS(on). It is available in logic level.
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GRM1553C1E2R4WA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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GRM0115C1C4R7BE01#

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