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C3D1P7060Q_16 参数 Datasheet PDF下载

C3D1P7060Q_16图片预览
型号: C3D1P7060Q_16
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内容描述: [Silicon Carbide Schottky Diode]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 851 K
品牌: CREE [ CREE, INC ]
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Electrical Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Test Conditions  
IFꢀ=ꢀ1.7ꢀAꢀꢀTC=25°C  
Note  
Fꢄg.ꢀ1  
Fꢄg.ꢀ2  
1.5  
1.7  
1.7  
2.4  
VF  
FoꢅwaꢅdꢀVolꢁagꢃ  
RꢃvꢃꢅsꢃꢀCuꢅꢅꢃnꢁ  
IFꢀ=ꢀ1.7ꢀAꢀꢀTC=150°C  
3
6
15  
55  
VR = 600 V TC=25°C  
VR = 600 V TC=150°C  
IR  
μA  
VRꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀIFꢀ=ꢀ1.7A  
di/dtꢀ=ꢀ500ꢀA/μs  
TCꢀ=ꢀ25°C  
QC  
ToꢁalꢀCapaꢂꢄꢁꢄvꢃꢀChaꢅgꢃ  
4
nC  
Fꢄg.ꢀ5  
82.5  
7
6
VRꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTCꢀ=ꢀ25°C,ꢀꢆꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
VRꢀ=ꢀ200ꢀV,ꢀTCꢀ=ꢀ25˚C,ꢀꢆꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
VRꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀTCꢀ=ꢀ25˚C,ꢀꢆꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
C
ToꢁalꢀCapaꢂꢄꢁanꢂꢃ  
pF  
μJ  
Fꢄg.ꢀ6  
Fꢄg.ꢀ7  
EC  
CapaꢂꢄꢁanꢂꢃꢀSꢁoꢅꢃdꢀEnꢃꢅgy  
0.6  
VR = 400 V  
Noꢁꢃ:ꢀThꢄsꢀꢄsꢀaꢀmajoꢅꢄꢁyꢀꢂaꢅꢅꢄꢃꢅꢀdꢄodꢃ,ꢀsoꢀꢁhꢃꢅꢃꢀꢄsꢀnoꢀꢅꢃvꢃꢅsꢃꢀꢅꢃꢂovꢃꢅyꢀꢂhaꢅgꢃ.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Unit  
°C/W  
Note  
RθJC  
ThꢃꢅmalꢀRꢃsꢄsꢁanꢂꢃꢀꢆꢅomꢀJunꢂꢁꢄonꢀꢁoꢀCasꢃ  
3.8  
Fꢄg.ꢀ9  
Typical Performance  
100  
14  
TJ = -55 °C  
12  
80  
60  
40  
20  
0
TJ = 25 °C  
10  
TJ = 75 °C  
TJ = 150 °C  
TJ = 125 °C  
TJ = 75 °C  
TJ = 25 °C  
TJ = -55 °C  
8
6
4
2
0
TJ = 125 °C  
TJ = 150 °C  
0.0  
1.0  
2.0  
3.0  
4.0  
5.0  
6.0  
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100  
VF (V)  
VR
(V)  
Fꢄguꢅꢃꢀ1.ꢀFoꢅwaꢅdꢀChaꢅaꢂꢁꢃꢅꢄsꢁꢄꢂs  
Fꢄguꢅꢃꢀ2.ꢀRꢃvꢃꢅsꢃꢀChaꢅaꢂꢁꢃꢅꢄsꢁꢄꢂs  
2
C3D1P7060Q Rev. F, 10-2015