C3D10065E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	C3D10065E
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内容描述：	[Silicon Carbide Schottky Diode]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 1092 K
品牌：	CREE [ CREE, INC ]

Typical Performance

1,000

100

T_{J_initial}= 25 °C

T_{J_initial}= 110 °C

100

200

300

400

500

600

700

10E-6

100E-6

1E-3

10E-3

Reverse Voltage, V_R(V)

t_p(s)

Time, t

(s)

V_R(V)

Figureꢀ8.ꢀNon-repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀsurgeꢀcurrentꢀꢀ

versusꢀpulseꢀdurationꢀ(sinusoidalꢀwaveform)

Figureꢀ7.ꢀCapacitanceꢀStoredꢀEnergy

0.5

0.3

100E-3

0.1

0.05

SinglePulse

0.02

0.01

10E-3

1E-3

1E-6

10E-6

100E-6

1E-3

10E-3

100E-3

Time, t (s)

T (Sec)

Figureꢀ9.ꢀTransientꢀThermalꢀImpedance

C3D10065E Rev. A, 10-2015

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