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C3D06065E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: C3D06065E
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内容描述: [Silicon Carbide Schottky Diode]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 1101 K
品牌: CREE [ CREE, INC ]
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Electrical Characteristics  
Symbol  
Parameter  
ForwardꢀVoltage  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Test Conditions  
IFꢀ=ꢀ6ꢀAꢀꢀTJ=25°C  
Note  
Fig.ꢀ1  
Fig.ꢀ2  
1.5  
2.0  
1.7  
2.4  
VF  
IFꢀ=ꢀ6ꢀAꢀꢀTJ=175°C  
8
15.5  
40  
160  
VRꢀ=ꢀ650ꢀVꢀꢀTJ=25°C  
VRꢀ=ꢀ650ꢀVꢀꢀTJ=175°C  
IR  
ReverseꢀCurrent  
μA  
VRꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀIFꢀ=ꢀ6ꢀA  
di/dtꢀ=ꢀ500ꢀA/μs  
TJꢀ=ꢀ25°C  
QC  
TotalꢀCapacitiveꢀCharge  
15  
nC  
Fig.ꢀ5  
295  
28.5  
25.5  
VRꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTJꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
VRꢀ=ꢀ200ꢀV,ꢀTJꢀ=ꢀ25˚C,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
VRꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀTJꢀ=ꢀ25˚C,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
C
TotalꢀCapacitance  
pF  
Fig.ꢀ6  
Fig.ꢀ7  
EC  
CapacitanceꢀStoredꢀEnergy  
2.3  
μJ  
VRꢀ=ꢀ400ꢀV  
Note:ꢀThisꢀisꢀaꢀmajorityꢀcarrierꢀdiode,ꢀsoꢀthereꢀisꢀnoꢀreverseꢀrecoveryꢀcharge.  
Thermal Characteristics  
Symbol Parameter  
Typ.  
Unit  
Note  
RθJC  
ThermalꢀResistanceꢀfromꢀJunctionꢀtoꢀCase  
1.5  
°C/W  
Fig.ꢀ9  
Typical Performance  
20  
16  
12  
8
14  
TJ = -55 °C  
12  
TJ = 25 °C  
10  
TJ = 75 °C  
TJ = 175 °C  
TJ = 125 °C  
TJ = 75 °C  
TJ = 25 °C  
TJ = -55 °C  
8
6
4
2
0
TJ = 125 °C  
TJ = 175 °C  
4
0
0
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000  
VF (V)  
VR(V)  
Figureꢀ1.ꢀForwardꢀCharacteristics  
Figureꢀ2.ꢀReverseꢀCharacteristics  
2
C3D06065E Rev. A, 01-2016  
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