CPC5603
N沟道耗尽型场效应管
参数
漏极至源极电压 - V
DS
最大导通电阻 - R的
DS （ ON）
最大功率
等级
415
14
2.5
单位
V
W
描述
该CPC5603是N沟道，耗尽型场
效应晶体管（FET） ，其利用克莱尔的专有
第三代垂直DMOS工艺。第三
生成过程实现了世界一流的，高电压
在一个经济的硅栅极MOSFET的性能
流程。垂直DMOS工艺产生的高
特别是在困难的应用程序可靠的设备
环境，如电信，安全性，
和电源。
一为CPC5603的主要应用的是
作为线性调节器/叉簧开关的LITELINK ™
家庭数据访问安排（ DAA ）设备
CPC5620A ， CPC5621A和CPC5622A 。
该CPC5603具有导通电阻8Ω ，一个典型
漏 - 源415V的电压，并且可以在
采用SOT - 223封装。如同所有的MOS器件，所述
FET结构防止热失控和
热引起的二次击穿。
特点
•
415V漏源电压
•
耗尽型器件提供低R
DS （ ON）
在低温下
•
低导通电阻： 8 （典型值） @ 25°C
•
低V
GS （ OFF ）
电压： -2.0V至-3.6V
•
高输入阻抗
•
低输入和输出泄漏
•
小尺寸封装SOT- 223
•
PC卡（ PCMCIA ）兼容
•
印刷电路板空间和成本节约
应用
•
对于LITELINK ™支持组件
数据存取装置（ DAA ）
•
电信
•
常通开关
•
点火模块
•
转换器
•
安全
•
电源
订购信息
产品型号
CPC5603C
描述
N沟道耗尽型场效应管， SOT- 223 PKG 。
切割胶带，可用在200 ， 300量，
400 ，500，和600
N沟道耗尽型场效应管， SOT- 223 PKG 。
磁带和卷轴（ 1000 /卷）
CPC5603CTR
封装引脚
D
4
2 3
D
S
1
G
引脚数
名字
1
门
2
漏
3
来源
4
漏
Pb
RoHS指令
2002/95/EC
e
3
www.clare.com
1
DS-CPC5603-R05
CLARE [ CLARE, INC. ]
