CPC5602C
N沟道耗尽型场效应管
特点
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低导通电阻10欧姆
高输入阻抗
低输入和输出泄漏
小尺寸封装SOT- 223
PC卡（ PCMCIA ）兼容
印刷电路板空间和成本节约
应用
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对于LITELINK支持组件
TM
数据存取装置（ DAA ）
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常通开关
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电信
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恒流源
描述
该CPC5602C是一个“N ”通道耗尽型场
效应晶体管（FET） ，其利用克莱尔的专有
第三代垂直DMOS工艺。第三
生成过程实现了世界一流的，高电压
在一个经济的硅栅极MOSFET的性能
流程。垂直DMOS工艺产生的高
特别是在困难的应用程序可靠的设备
环境，如电信。
一个用于CPC5602C的主要应用的是如
线性调节器/叉簧开关的LITELINK
TM
数据
访问安排（ DAA ）设备（ CPC5610A ，
CPC5611A ， CPC5604A ） 。
该CPC5602C具有导通电阻8Ω ，一个典型
击穿电压超过350V ，并且可以在
一个SOT- 223封装。如同所有的MOS器件中，FET
结构防止热失控，热诱导的
二次击穿。
绝对最大额定值
参数
V
DSS
电压
总包耗散
工作温度
储存温度
焊接温度
民
—
—
-40
-40
—
最大
350
2.5
+85
+125
+220
单位
V
W
O
O
O
订购信息
描述
N沟道耗尽型场效应管，
SOT- 223封装
CPC5602CTR N沟道耗尽模式， SOT-
223套餐
FET -磁带和卷轴
（ 1000单位分）
产品编号
CPC5602C
C
C
C
绝对最大额定值的压力额定值。在讲
这些过剩的收视率可能会导致永久性的损坏
该设备。该装置的这些功能操作或
超出的操作指示的任何其他条件
本数据手册的tional节是不是暗示。曝光
该设备为一个EX-绝对最大额定值
往往期限可能会降低设备和影响其可靠性
的能力。
DS- CPC5602C -REV 。 1
www.clare.com
1
CLARE [ CLARE, INC. ]
