CPC3701
60V ，耗尽型， N沟道
垂直的DMOS FET
V
（ BR ） DSX
/
V
（ BR ） DGX
60V
R
DS （ ON）
（最大）
1
I
DSS
（分钟）
600mA
包
SOT-89
描述
该CPC3701是N沟道，耗尽型，场
效应晶体管（FET） ，其利用克莱尔的专有
第三代垂直DMOS工艺。该
第三代的过程实现了世界级高
在一个经济的电压的MOSFET的性能
硅栅工艺。我们的垂直DMOS工艺
产生一个强大的设备，具有高输入阻抗，
适用于高功率应用中使用。该CPC3701
是，已经使用的可靠性高的场效应晶体管器件
广泛克莱尔的固态继电器工业
和安全性的应用程序。
该CPC3701具有的最小击穿电压
60V ，并且是在SOT-89封装。如同
所有MOS器件中，FET结构防止热
失控和热引起的二次击穿。
特点
•
耗尽型器件提供低R
DS （ ON）
在低温下
•
低导通电阻： 1最大。在25ºC
•
高输入阻抗
•
低V
GS （ OFF ）
电压： -0.8至-2.9V
•
小尺寸封装SOT- 89
应用
•
•
•
•
•
•
点火模块
常通开关
固态继电器
转换器
安全
电源
订购信息
产品编号
CPC3701C
描述
N沟道耗尽型场效应管， SOT- 89 PKG 。
切割胶带，可用在200 ， 300量，
400 ，500，和600
N沟道耗尽型场效应管， SOT- 89 PKG 。
磁带和卷轴（ 1000 /卷）
引脚封装（ SOT- 89 ）
CPC3701CTR
D
G
D
S
电路符号
D
G
S
Pb
RoHS指令
2002/95/EC
e
3
www.clare.com
1
DS-CPC3701-R02
CLARE [ CLARE, INC. ]
