CPC3720
N沟道耗尽型场效应晶体管模式
初步
V
（ BR ） DSX
/
V
（ BR ） DGX
350V
P
R
DS （ ON）
（最大）
22
I
DSS
（分钟）
130mA
包
SOT-89
描述
该CPC3720是N沟道，耗尽型，场
效应晶体管（FET） ，其利用克莱尔的专有
第三代垂直DMOS工艺。该
第三代的过程实现了世界级高
在一个经济的电压的MOSFET的性能
硅栅工艺。我们的垂直DMOS工艺
产生一个强大的设备，具有高输入阻抗，
为在高功率应用中使用。该CPC3720
是，已经使用的可靠性高的场效应晶体管器件
广泛克莱尔的固态继电器工业
和电信应用。
该器件擅长于电源应用要求
低的漏 - 源电阻，特别是在冷
环境中，如汽车点火模块。
该CPC3720提供了一个低， 22最大，通态
电阻在25℃ 。
该CPC3720具有最小击穿电压
350V的
P
，并提供采用SOT -89封装。
如同所有的MOS器件，所述FET结构防止
热失控和热引起的二次
击穿。
特点
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•
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提供低R
DS （ ON）
在低温下
R
DS （ ON）
22最大。在25ºC
高输入阻抗
高击穿电压： 350V
P
低V
GS （ OFF ）
电压： -1.6至-3.9V
小尺寸封装SOT- 89
应用
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•
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•
点火模块
常通开关
固态继电器
转换器
电信
电源
订购信息
产品编号
CPC3720C
描述
N沟道耗尽型场效应管， SOT- 89 PKG 。
切割胶带，可用在200 ， 300量，
400 ，500，和600
N沟道耗尽型场效应管， SOT- 89 PKG 。
磁带和卷轴（ 1000 /卷）
CPC3720CTR
封装引脚
电路符号
D
D
G
D
S
G
(SOT-89)
S
Pb
RoHS指令
2002/95/EC
e
3
初步
1
DS-CPC3720-R00D
CLARE [ CLARE, INC. ]
