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     英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
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     R6504ENX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    NVTYS007N04CTWG

     MOSFET – Power, Single, N-Channel, 40 V, 8.6 mΩ, 49 A
    暂无信息
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    GCQ1555C1H240GB01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GCD21BR71H823MA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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     20 V, P-channel Trench MOSFETProduction
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