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SCS308AH

可降低开关损耗,可高速开关。 SiC支持页面评估板, 文件 应用实例介绍罗姆制SiC元器件 何谓SiC功率元器件?电子小知识#banner-area a:link {text-decoration
电子开关
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SPW55N80C3

CoolMOS™ P7替代CoolMOS™ C3 。
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GRT1885C1H300JA02#

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NEH2000BY

Energy harvesting PMICProduction
集成电源管理电路
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IPL60R285P7

600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G),确保高效率。
开关脉冲晶体管栅极
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GRT1555C1H910FA02#

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FDP19N40

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,400V,19A,240mΩ,TO-220
局域网开关脉冲晶体管
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