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    IPB60R080P7

     600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
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     TDA21490 专为服务器、存储、人工智能(AI) 和网络应用中使用的高性能 xPU、ASIC和SOC提供强健可靠的电压调节器(VR) 而设计。TDA21490 采用高热效封装的 OptiMOSTM 功率 MOSFETs，具有同类产品中最佳的效率。低静态电流驱动器可以启用深度睡眠模式，进一步提高轻载效率，还可以提供精准的电流感测，有助于大幅提升系统性能。
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    MMBZ20VALYFH

     MMBZ20VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
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