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型号: CEM4279
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内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 490 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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双增强模式场效应晶体管( N和P沟道)
CEM4279
5
特点
40V , 6.1A ,R
DS ( ON)
= 32mΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 46mΩ @V
GS
= 4.5V.
-40V , -4.3A ,R
DS ( ON)
= 66mΩ @V
GS
= -10V.
R
DS ( ON)
= 105mΩ @V
GS
= -4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
表面贴装封装。
SO-8
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
1
1
S
1
2
G
1
3
S
2
4
G
2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
N沟道
40
P沟道
-40
单位
V
V
A
A
W
C
±
20
6.1
24
2.0
-55到150
±
20
-4.3
-17
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
冯2. 2007.Jan
http://www.cetsemi.com