欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CEM3178_10 参数 Datasheet PDF下载

CEM3178_10图片预览
型号: CEM3178_10
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 380 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
 浏览型号CEM3178_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEM3178_10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEM3178_10的Datasheet PDF文件第4页  
双N沟道增强型场效应晶体管
特点
30V , 7.6A ,R
DS ( ON)
= 22MΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 33mΩ @V
GS
= 4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
表面贴装封装。
D
1
8
D
1
7
CEM3178
初步
D
2
6
D
2
5
SO-8
1
1
S
1
2
G
1
3
S
2
4
G
2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
30
单位
V
V
A
A
W
±
20
7.6
30
2.0
最大功率耗散
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
62.5
C / W
规格及数据如有更改,恕不另行通知。
1
冯三2010.Apr
http://www.cetsemi.com