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    CEH2321_10 参数 Datasheet PDF下载

    CEH2321_10图片预览
    型号： CEH2321_10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 430 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
     浏览型号CEH2321_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEH2321_10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEH2321_10的Datasheet PDF文件第4页  
    P沟道增强型场效应晶体管
    特点
    -20V ， -4.8A ，R
    DS （ ON）
    = 55mΩ @V
    GS
    = -4.5V.
    R
    DS （ ON）
    = 62mΩ @V
    GS
    = -2.5V.
    高密度电池设计极低R
    DS （ ON）
    .
    坚固可靠。
    被收购无铅产品。
    TSOP - 6封装。
    6
    5
    4
    G(3)
    1
    TSOP-6
    2
    3
    CEH2321
    D(1,2,5,6,)
    S(4)
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    漏电流脉冲
    a
    T
    A
    = 25°C除非另有说明
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    ,T
    英镑
    极限
    -20
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    C
    ±
    12
    -4.8
    -19.2
    2.0
    -55到150
    最大功率耗散
    操作和存储温度范围
    热特性
    参数
    热阻，结到环境
    b
    符号
    R
    θJA
    极限
    62.5
    单位
    C / W
    详细信息如有变更，恕不另行通知
    1
    冯三2010.Sep
    http://www.cetsemi.com

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