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    CEH2288 参数 Datasheet PDF下载

    CEH2288图片预览
    型号： CEH2288
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 263 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
     浏览型号CEH2288的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEH2288的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEH2288的Datasheet PDF文件第4页  
    N沟道增强型网络场效晶体管
    特点
    20V ， 5.2A ，R
    DS （ ON）
    = 26mΩ @V
    GS
    = 4.5V.
    R
    DS （ ON）
    = 35mΩ @V
    GS
    = 2.5V.
    高密度电池设计极低R
    DS （ ON）
    .
    坚固可靠。
    被收购无铅产品。
    TSOP - 6封装。
    5
    4
    G
    1
    (6)
    CEH2288
    D
    1
    (2)
    D
    2
    (5)
    6
    G
    2
    (4)
    1
    TSOP-6
    2
    3
    S
    1
    (1)
    S
    2
    (3)
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    漏电流脉冲
    a
    T
    A
    = 25°C除非另有说明
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    ,T
    英镑
    极限
    20
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    C
    ±
    12
    5.2
    20
    1.14
    -55到150
    最大功率耗散
    操作和存储温度范围
    热特性
    参数
    热阻，结到环境
    b
    符号
    R
    θJA
    极限
    110
    单位
    C / W
    详细信息如有变更，恕不另行通知。
    1
    冯2. 2007.MARCH
    http://www.cetsemi.com

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