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    CED02N6 参数 Datasheet PDF下载

    CED02N6图片预览
    型号： CED02N6
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    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 46 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
     浏览型号CED02N6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CED02N6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CED02N6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CED02N6的Datasheet PDF文件第5页  
    CED02N6/CEU02N6
    2002年12月
    N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
    特点
    600V ， 1.9A ，R
    DS （ ON）
    =5
    Ω
    @V
    GS
    =10V.
    超级高密度电池设计极低R
    DS （ ON）
    .
    高功率和电流处理能力。
    TO- 251 & TO- 252封装。
    D
    6
    G
    D
    G
    S
    G
    D
    S
    CEU系列
    TO-252AA(D-PAK)
    CED系列
    TO-251(l-PAK)
    S
    绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续（TC = 25℃）
    - 连续（TC = 100℃ ）
    -Pulsed
    漏源二极管的正向电流
    最大功率耗散
    @ T = 25℃
    减免上述25℃
    工作和存储Temperautre范围
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    极限
    600
    30
    1.9
    1.2
    6
    6
    43
    0.34
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    W
    W / C
    C
    热特性
    热阻，结到外壳
    热阻，结到环境
    6-77
    R
    JC
    R
    JA
    2.9
    50
    C / W
    C / W

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