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CED4279 参数 Datasheet PDF下载

CED4279图片预览
型号: CED4279
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内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 681 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CED4279/CEU4279  
N-CHANNEL  
102  
5
VDS=20V  
ID=6A  
RDS(ON)Limit  
1ms  
4
3
2
1
0
101  
10ms  
100ms  
5
DC  
100  
10-1  
TC=25 C  
TJ=150 C  
Single Pulse  
10-2  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
0
2
4
6
8
10  
12  
Qg, Total Gate Charge (nC)  
VDS, Drain-Source Voltage (V)  
Figure 13. Gate Charge  
Figure 14. Maximum Safe  
Operating Area  
P-CHANNEL  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
5
VDS=20V  
ID=4.5A  
RDS(ON)Limit  
1ms  
10ms  
4
3
2
1
0
100ms  
DC  
TC=25 C  
TJ=150 C  
Single Pulse  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
0
1
2
3
4
5
6
Qg, Total Gate Charge (nC)  
-VDS, Drain-Source Voltage (V)  
Figure 15. Gate Charge  
Figure 16. Maximum Safe  
Operating Area  
6