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CED3301 参数 Datasheet PDF下载

CED3301图片预览
型号: CED3301
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 421 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CED3301/CEU3301  
102  
10  
8
VDS=-15V  
ID=-5.3A  
RDS(ON)Limit  
100µs  
1ms  
10ms  
101  
DC  
6
4
100  
6
2
TC=25 C  
TJ=150 C  
Single Pulse  
10-1  
0
10-1  
100  
101  
102  
0
5
10  
15  
20  
Qg, Total Gate Charge (nC)  
-VDS, Drain-Source Voltage (V)  
Figure 7. Gate Charge  
Figure 8. Maximum Safe  
Operating Area  
VDD  
on  
t
toff  
d(off)  
t
r
t
d(on)  
OUT  
RL  
t
f
t
VIN  
90%  
10%  
90%  
D
OUT  
V
V
VGS  
10%  
INVERTED  
RGEN  
G
90%  
50%  
50%  
S
IN  
V
10%  
PULSE WIDTH  
Figure 10. Switching Waveforms  
Figure 9. Switching Test Circuit  
100  
D=0.5  
0.2  
PDM  
10-1  
0.1  
t1  
t2  
0.05  
0.02  
0.01  
1. Rθ JC (t)=r (t) * Rθ JC  
2. Rθ JC=See Datasheet  
3. TJM-TC = P* Rθ JC (t)  
4. Duty Cycle, D=t1/t2  
Single Pulse  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
103  
104  
10-2  
Square Wave Pulse Duration (msec)  
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve  
4
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