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NX6508-AZ 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NX6508-AZ
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内容描述: 长者邻舍中心的InGaAsP MQW - DFB激光二极管可以包2.5 Gb / s的, CWDM应用 [NECs InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR 2.5 Gb/s, CWDM APPLICATIONS]
分类和应用: 二极管激光二极管
文件页数/大小: 4 页 / 334 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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初步数据表
NEC公司的InGaAsP
MQW - DFB激光二极管
在CAN包,
2.5 Gb / s的, CWDM应用
特点
•光输出功率
P
O
= 5.0毫瓦
•峰值发射波长
λ
p
= 1 470〜 1 610 nm的
(基于ITU -T建议)
•低阈值电流
I
th
= 10毫安
•高速
t
r
= 100 ps的MAX
•边模抑制比
SMSR = 40分贝
•工作温度范围
T
C
= -20〜 + 85°C
•砷化铟镓监控PIN- PD
• CAN封装
Ø
5.6 mm
•基于Telcordia的可靠性
NX6508
系列
描述
NEC的NX6508系列是1 470〜 1 610 nm的多
量子阱( MQW )结构化的分布式反馈
( DFB )激光二极管的InGaAs PIN显示器-PD 。这些
器件理想用于2.5 Gb / s的CWDM应用。
光电特性
(T
C
= -20〜 + 85°C ,除非另有规定编)
产品型号
符号
P
o
V
op
I
th
参数和条件
从光纤, CW光输出功率
工作电压,P
o
= 5.0毫瓦
阈值电流,T
C
= 25°C
单位
mW
V
mA
NX6508系列
分钟。
典型值。
5.0
1.1
10
1.6
20
50
η
d
差EfÞciency
P
o
= 5.0毫瓦,T
C
= 25°C
P
o
= 5.0毫瓦
Δη
d
微分英法fi效率的温度依赖性
Δη
d
= 10日志
λ
p
Δλ/ΔT
SMSR
t
r
η
d
(@ T
C
°C)
η
d
(@ 25°C)
nm
纳米/ ℃,
dB
ps
λ
p
−2
0.08
30
λ
p
*1
0.1
40
100
λ
p
+2
0.12
dB
W / A
0.18
0.10
−3.0
−1.6
0.25
马克斯。
峰值发射波长,P
o
= 5.0毫瓦
峰值发射波长, CW的温度依赖性
边模抑制比,P
o
= 5.0毫瓦
上升时间, 20〜80 % ,P
o
= 5.0毫瓦
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美国加州东部实验室