NEC的
φ
µ
φ50
µm
砷化铟镓APD IN同轴封装
NR8500系列
155兆/ s和622 Mb / s的应用
特点
•
小暗电流：
I
D
= 7 nA的
•
高灵敏度：
在S = 0.94 / W
λ
= 1310纳米， M = 1的
在S = 0.96 / W
λ
= 1550纳米， M = 1的
•
高速响应：
f
C
= 1.5 GHz的在M = 10
•
同轴模块SMF或GI- 50纤维
•
与SC连接器：标准
FC连接器：选项
描述
NEC的NR8500系列的InGaAs雪崩光电二极管
（ APD ）同轴模块与光纤尾纤。这个模块是
设计为长波长的光通信系统
是一种理想的reciever同步数字体系
（SDH）系统， STM -4， STM-1 ， ITU-T的建议。
光电特性
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
产品型号
符号
V
BR
δ
1
I
D
I
DM
C
t
f
C
S
M
x
F
ORL
参数和条件
反向击穿电压，I
D
=100
µA
的反向击穿电压的温度系数
暗电流，V
R
= V
BR
x 0.9
相乘的暗电流，M = 2〜10的
终端电容，V
R
= V
（ BR ）R
×0.9 ， F = 1兆赫
截止频率， M = 10
M = 20
灵敏度，
λ
= 1310纳米
λ
= 1550纳米
单位
V
%/ºC
nA
nA
pF
GHz的
/ W
1.0
0.8
0.81
30
民
50
NR8500系列
典型值
70
0.2
7
1
0.5
1.5
1.2
0.94
0.96
40
0.7
5
dB
30
28
30
5
0.75
最大
90
倍增系数，
λ
= 1310纳米，我
PO
= 1.0
µA
V
R
= V （ @I
D
= 1
µA)
多余的噪声系数
2
,
λ
= 1310纳米， 1550纳米，
I
PO
=1.0
µA,
M = 10 ， F = 35 MHz时， B = 1兆赫
多余的噪声系数
2
,
λ
= 1310纳米， 1550纳米，
I
PO
=1.0
µA,
M = 10 ， F = 35 MHz时， B = 1兆赫
光回损
SMF
GI- 50光纤
注意：
V
BR
(25°C+∆T°C)-V
BR
(25°C)
1.
δ
=
ΔT ℃，
•
V
BR
(25°C)
2. ˚F = M
X
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
