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    NESG270034-T1 参数 Datasheet PDF下载

    NESG270034-T1图片预览
    型号： NESG270034-T1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅锗RF晶体管中等输出功率放大（ 2 W ） 3 - pin电源MINIMOLD （ 34 PKG ） [NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)]
    分类和应用： 晶体晶体管输出元件
    文件页数/大小： 11 页 / 330 K
    品牌： CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
     浏览型号NESG270034-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NESG270034-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NESG270034-T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NESG270034-T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NESG270034-T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NESG270034-T1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NESG270034-T1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NESG270034-T1的Datasheet PDF文件第9页  
    NPN硅锗RF晶体管
    NESG270034
    NPN硅锗RF晶体管
    中等输出功率放大（ 2 W ）
    3 - pin电源MINIMOLD （ 34 PKG ）
    特点
    •本产品适用于中等输出功率（ 2 W ）放大
    P
    OUT
    = 33.5 dBm的典型。 @ V
    CE
    = 6 V ，P
    in
    = 20 dBm时， F = 460 MHz的
    P
    OUT
    = 31.5 dBm的典型。 @ V
    CE
    = 6 V ，P
    in
    = 20 dBm时， F = 900兆赫
    •使用UHS2 -HV工艺（ SiGe技术） ，V
    CBO
    （绝对最大额定值）= 25 V
    • 3针电源minimold （ 34 PKG ）
    订购信息
    产品型号
    NESG270034
    订单号
    NESG270034-AZ
    包
    3 - Pin电源Minimold
    （ 34 PKG ） （无铅）
    2
    Note1,
    QUANTITY
    25个
    （无卷）
    •杂志案
    供给方式
    NESG270034-T1
    NESG270034-T1-AZ
    1千件/卷
    • 12mm宽压纹带卷
    •引脚2 （发射极）面对带的穿孔侧
    注意事项1 。
    含有铅，除了电极端子的一部分。
    2.
    随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
    您最近的销售部门。
    备注
    如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
    样本股数量为25个。
    绝对最大额定值（T
    A
    = +25°C)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    总功耗
    结温
    储存温度
    2
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    合计
    记
    评级
    25
    9.2
    2.8
    750
    1.9
    150
    −65
    +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    W
    °C
    °C
    T
    j
    T
    英镑
    记
    安装在34.2厘米
    ×
    0.8毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
    当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
    一号文件PU10577EJ01V0DS （第1版）
    发布日期2005年9月CP （ K）
    ©
    NEC化合物半导体器件， 2005有限公司

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