NESG2101M16 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NESG2101M16
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内容描述：	NPN硅锗高频三极管 [NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 228 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

初步数据表

NEC的硅锗NPN

NESG2101M16

高频三极管

特点

•

高击穿电压SiGe技术

首席执行官

= 5 V （绝对最大值）

高输出功率：

1dB

= 21 dBm的在2 GHz

低噪声系数：

NF = 0.9分贝2 GHz的

NF = 0.6分贝1 GHz的

最大稳定功率增益：

味精= 17分贝2 GHz的

LOW PROFILE M16包装：

6引脚无铅减Minimold

M16

•

描述

NEC的NESG2101M16使用NEC's高压制成

硅锗工艺（ UHS2 -HV ），并且被设计为

广泛的应用，包括低噪声放大器器，

中等功率放大器器和振荡器

电气特性

= 25°C)

产品型号

包装外形

符号

1dB

味精

21E

CBO

EBO

注意事项：

参数和条件

在1 dB压缩点的输出功率

= 3.6 V，I

= 10 mA时， F = 2千兆赫，Z

= Z

SOPT

， ZL = Z

LOPT

线性增益，V

= 3.6 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz时，

噪声系数在V

= 2 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz时，

= Z

SOPT

， ZL = Z

LOPT

在V相关的增益

= 2 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz时，

= Z

SOPT

， ZL = Z

LOPT

噪声系数在V

= 2 V，I

= 7毫安， F = 1 GHz的，

= Z

SOPT

， ZL = Z

LOPT

在V相关的增益

= 2 V，I

= 7 mA时， F = 1 GHz的，

= Z

SOPT

， ZL = Z

LOPT

最大稳定增益

在V

= 3 V，I

= 50 mA时， F = 2 GHz的

插入功率增益在V

= 3 V，I

= 50 mA时， F = 2 GHz的

增益带宽积为V

= 3 V，I

= 50 mA时， F = 2 GHz的

反向传输电容

在V

= 2 V，I

= 0 mA时， F = 1兆赫

集电极截止电流在V

= 5V ，我

= 0

发射极截止电流在V

= 1 V，I

= 0

直流电流增益在V

= 2 V，I

= 15毫安

NESG2101M16

M16

单位

DBM

GHz的

130

190

14.5

11.5

11.0

民

典型值

0.9

13.0

0.6

19.0

17.0

13.5

0.4

0.5

100

260

1.2

最大

1.味精= S

2.集电极基极电容，当发射器引脚接地。

3.脉冲测量，脉冲宽度

≤

350

μs,

占空比

≤

2 %.

美国加州东部实验室

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