数据表
NEC的硅锗NPN
NESG2021M05
高频三极管
特点
•
•
高击穿电压SiGe技术
V
首席执行官
= 5 V (绝对最大值)
低噪声系数:
NF = 0.9分贝2 GHz的
NF = 1.3分贝5.2 GHz的
最大稳定增益:
味精= 22.5分贝在2 GHz
LOW PROFILE M05包装:
SOT- 343的足迹,用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
无铅
M05
•
•
•
描述
NEC的NESG2021M05使用NEC's高压制成
硅锗工艺( UHS2 -HV ) ,并且被设计为
广泛的应用,包括低噪声放大器器,
中等功率放大器器和振荡器。
NEC's低廓,在佛罗里达州牵头的风格M05封装提供高
高频性能的紧凑型无线设计。
NESG2021M05
M05
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
GHz的
pF
nA
nA
130
190
20
15.0
20.0
17.0
民
典型值
1.3
10.0
0.9
18.0
22.5
19.0
9.0
17.0
25
0.1
0.2
100
100
260
1.2
最大
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
G
a
NF
G
a
RF
味精
|S
21E
|
P
1dB
OIP
3
f
T
C
re
I
CBO
I
EBO
h
FE
注意事项:
1.味精= S
21
S
12
DC
2
参数和条件
噪声系数在V
CE
= 2 V,I
C
= 3 mA时, F = 5.2千兆赫,
Z
S
= Z
SOPT
, ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V,I
C
= 3 mA时, F = 5.2千兆赫,
Z
S
= Z
SOPT
, ZL = Z
LOPT
噪声系数在V
CE
= 2 V,I
C
= 3毫安, F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
SOPT
, ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V,I
C
= 3毫安, F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
SOPT
, ZL = Z
LOPT
最大稳定增益
1
在V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
在1dB压缩点的输出功率
V
CE
= 3 V,I
C
= 12 mA时, F = 2 GHz的
输出3阶截取点在V
CE
= 3 V,I
C
= 12 mA时, F = 2 GHz的
增益带宽积为V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
反向传输电容
2
在V
CB
= 2 V,I
C
= 0 mA时, F = 1 GHz的
集电极截止电流在V
CB
= 5V ,我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
3
2.集电极基极电容用电容表(自动平衡电桥法)时,发射器引脚连接到测量
后卫脚。
3.脉冲测量,脉冲宽度
≤
350
μs,
占空比
≤
2 %.
美国加州东部实验室