NEC的NPN硅晶体管NE894M03
特点
•
微型M03包装：
- 小外形晶体管
- 低廓/ 0.59毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
IDEAL FOR > 3 GHz的OSCILLATORS
低噪声，高增益
低C
re
UHSO 25 GHz的过程
1.4 ±0.1
0.45
(0.9)
0.45
1
0.2±0.1
2
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M03
1.2±0.05
0.8±0.1
•
•
•
•
UE
0.3±0.1
3
描述
NEC的NE894M03晶体管是专为振荡器应用程序
阳离子3 GHz以上。该NE894M03具有低电压，
低电流操作，低噪声和高增益。 NEC的低
廓/ FL在铅风格"M03"封装非常适合今天的便携式
无线应用。
0.59±0.05
+0.1
0.15 -0.05
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
f
T
|S
21E
|
| NF
C
re
I
CBO
I
EBO
h
FE
2
NE894M03
2SC5786
M03
单位
GHz的
dB
dB
pF
nA
nA
民
17
10
–
–
–
–
50
典型值
20
12
1.4
0.22
–
–
–
最大
–
–
2.5
0.30
100
100
100
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 1 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 1 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2千兆赫，Z
S
= Z
选择
在V反向传输电容
CB
= 0.5 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
2
3
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
µs,
占空比
≤
2 %.
3.集电极基极电容时，发射极接地
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
