NEC的NPN硅晶体管NE851M13
特点
•
新的微型M13包装：
- 小外形晶体管
- 1.0× 0.5× 0.5毫米
- 薄型/ 0.50毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
理想
≤
3 GHz的OSCILLATORS
低相位噪声
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M13
0.7±0.05
0.5
+0.1
ñ0.05
0.15
+0.1
ñ0.05
（底视图）
0.3
0.35
•
•
2
1.0
+0.1
ñ0.05
0.7
LOW推移因子
3
0.35
1
描述
NEC的NE851M13晶体管是专为振荡器的应用
系统蒸发散高达3 GHz 。该NE851M13具有低电压
操作中，低相位噪声和高immunty力推
的影响。 NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M13"包
适用于当今的便携式无线应用。
0.15
+0.1
ñ0.05
0.1
0.1
0.2
0.2
0.125
+0.1
ñ0.05
0.2
+0.1
ñ0.05
•
E7
0.5±0.05
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
f
T
f
T
|S
21E
|
2
|S
21E
|
2
NF
C
RE
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
增益带宽
在V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
插入功率增益
在V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
反向传输电容
3
在V
CB
= 0.5 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益
2
在V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
pF
nA
nA
民
3.0
5.0
3.0
4.5
–
–
–
–
100
NE851M13
2SC5801
M13
典型值
4.5
6.5
4.0
5.5
1.9
0.6
–
–
120
最大
–
–
–
2.5
0.8
600
600
145
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
µs,
占空比
≤
2 %.
3.集电极基极电容时，发射极接地
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
