表面贴装NPN硅
高频三极管
特点
•低相位噪声失真
•低噪音：
1.5分贝在2.0 GHz的
•低电压工作
•大绝对值最大集电极
当前位置：
I
C
MAX =百毫安
•有六种低成本的塑料表面
贴装类型
•也可在芯片状
18 （ SOT 343 STYLE）
NE688
系列
19 （ 3 PIN超超
MINI模）
ERS
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:
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特征
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权证
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PLE ILS ：
ETA 818
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NE 883 9
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N
883
E6
N
NEC的NE688系列NPN外延硅晶体管
专为低成本放大器和振荡器应用。低
噪声系数，高增益和高电流能力等同于
宽动态范围和出色的线性度。 NE688的低
相位噪声失真和高的fT使其成为一个很好的选择
振荡器的应用程序多达5千兆赫。该NE688系列
在六个不同的低成本塑料表面贴装封装
年龄样式，并且在芯片的形式。
30 （ SOT 323 STYLE）
33 （ SOT 23 STYLE）
39 （ SOT 143 STYLE）
39R （ SOT 143R STYLE）
(T
A
= 25°C)
EIAJ
2
注册
产品型号
1
数
包装外形
NE68818
2SC5194
18
NE68819
2SC5195
19
NE68830
2SC5193
30
NE68833
2SC5191
33
f
T
f
T
NF
民
NF
民
|S
21E
|
|S
21E
|
h
FE
2
2
描述
NE68839/39R
2SC5192/92R
39
符号参数和条件单位最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
增益带宽积为
V
CE
= 1V ，我
C
= 3 mA时， F = 2.0 GHz的
增益带宽积为
V
CE
= 3V ，我
C
= 20 mA时， F = 2.0 GHz的
最小噪声系数为
V
CE
= 1 V，I
C
= 3 mA时， F = 2.0 GHz的
最小噪声系数为
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 2.0 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 1V ，我
C
= 3 mA时， F = 2.0 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 3V ，我
C
= 20 mA时， F = 2.0 GHz的
正向电流增益
3
at
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 1 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
热阻
（结到环境）
GHz的
4
5
4.5
5
4
4.5
9
4
4.5
4
4.5
9
GHz的
dB
10
9.5
8.5
1.7
2.5
1.7
2.5
1.7
2.5
1.7
2.5
1.7
2.5
dB
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
dB
3.0 4.0
3.0
4.0
8
2.5
3.5
2.5
3.5
4.0
4.5
9
dB
8.5
6.5
6.5
80
160
80
160
80
160
80
160
80
160
100
100
I
CBO
I
EBO
C
RE4
P
T
R
号（j -a）的
nA
nA
pF
mW
° C / W
100
100
0.65 0.8
150
833
0.7
100
100
0.8
125
1000
100
100
0.75 0.85
150
833
100
100
0.75 0.85
200
625
0.65 0.8
200
625
R
日（J -C ）
热阻（结到管壳）
° C / W
注意事项：
1，注意事项：设备是ESD敏感。使用正确的处理程序。
2.日本电子工业协会。
3.脉冲测量， PW
≤
350
µs,
占空比
≤
2%.
4.发射端应连接到接地端子
三端子电容桥梁。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
