表面贴装NPN硅
高频三极管
特点
•高增益带宽积：
f
T
15 GHz的
•低电压/低电流工作模式
•高插入功率增益：
|S
21E
|
2
= 12 dB的2 V ， 7毫安， 2 GHz的
|S
21E
|
2
= 11 dB的1 V，5毫安， 2 GHz的
•低噪音：
1.5分贝在2.0 GHz的
•有六种低成本的塑料表面
贴装类型
18 （ SOT 343 STYLE）
NE686
系列
19 （ 3 PIN超超
MINI模）
ER S
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:
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电气特性
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泰30
德86
E6
N
633
68
NE 863 9
E6
9R
N
863
E6
N
描述
NEC的NE686系列NPN外延硅晶体管
专为低电压/低电流，放大器和振荡器
应用程序。 NE686的高F
T
使它成为一个很好的选择
便携式无线应用高达5千兆赫。该NE686芯片是
在六个不同的低成本塑料表面贴装封装
时代风格。
30 （ SOT 323 STYLE）
33 （ SOT 23 STYLE）
39 （ SOT 143 STYLE）
(T
A
= 25°C)
EIAJ
2
注册
产品型号
1
数
包装外形
NE68618
2SC5180
18
NE68619
2SC5181
19
NE68630
2SC5179
30
NE68633
2SC5177
33
f
T
f
T
NF
民
NF
民
|S
21e
|
2
|S
21e
|
2
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
RE4
P
T
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
增益带宽积为
V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2.0 GHz的
增益带宽积为
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2.0 GHz的
最小噪声系数为
V
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 2.0 GHz的
最小噪声系数为
V
CE
= 1 V，I
C
= 3 mA时， F = 2.0 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 2V ，我
C
= 7 mA时， F = 2.0 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 1V ，我
C
= 5毫安， F = 2.0 GHz的
正向电流增益
3
at
V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 2 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
热阻
（结到环境）
GHz的
GHz的
dB
dB
12 15.5
10
13
10
13
7.5
7
9
10
13
8.5
12
8.5
8.5
12
8.5
1.5
1.5
12
2.0
2.0
1.5
1.5
2.0
2.0
1.5
1.5
9
2.0
2.0
1.5
1.5
9
2.0
2.0
dB
10
8
10.5
9
7.5
7
7.5
7
dB
8.5 11
70
7
8.5
8.5
140
70
140
70
140
70
140
70
nA
nA
pF
mW
° C / W
0.3
100
100
0.5
30
833
0.4
100
100
0.6
30
1250
0.4
100
100
0.6
30
833
0.5
100
100
0.6
30
625
39R （ SOT 143R STYLE）
NE68639/39R
2SC5178/78R
39/39R
符号参数和条件单位最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
10.5 13.5
12
1.5
1.5
2.0
2.0
9.5 11.5
7.5 10.5
140
100
100
0.3
0.5
30
625
热阻（结到管壳）
° C / W
注意事项： 1，注意事项：设备是ESD敏感。使用正确的处理程序。
2.日本电子工业协会。
3.脉冲测量， PW
≤
350
µs,
占空比
≤
2%.
4.发射端应连接到接地端子
三端子电容桥梁。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
