NEC的中功率
NPN硅高频NE677M04
晶体管
特点
•
•
•
•
高增益带宽：
f
T
= 15 GHz的
高输出功率：
P
-1dB
= 15 dBm的1.8 GHz的
高线性增益：
G
L
= 15.5分贝在1.8GHz
新LOW PROFILE M04包装：
SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
+0.40
-0.05
2
+0.30
2.05±0.1
1.25±0.1
3
2.0±0.1
R54
1.25
0.65 0.65
0.65 0.65
描述
NEC的NE677M04正在使用NEC的HFT3晶圆制造
流程。为15千兆赫的过渡频率， NE677M04
是在从100MHz到3GHz的应用中使用。该NE677M04
提供15 dBm为P1dB的，即使在低电压和低
当前，使得该设备的驱动程序很好的选择
阶段为移动或固定的无线应用。
NEC的NE677M04坐落在NEC的新的低姿态/扁平引脚
风格"M04"包
1
+0.30
-0.05
（引线1,3和4 ）
0.59±0.05
+0.11
-0.05
最大
100
100
75
DBM
dB
DBM
dB
%
dB
GHz的
pF
10.0
120
15.0
15.5
16.0
13.5
50
1.7
15
0.22
0.50
2.5
150
+0.1
引脚连接
1.发射器
2.收集
3.辐射源
4.基地
NE677M04
M04
2SC5751
单位
nA
nA
民
典型值
+0.01
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
EIAJ
3
注册号
符号
I
CBO
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流
1
增益V
CE
= 3 V，I
C
= 20毫安
在在V 1 dB压缩点的输出功率
CE
= 2.8 V，I
CQ
= 8毫安，
F = 1.8千兆赫，P
in
- 1 dBm的
线性增益在V
CE
= 2.8 V，I
CQ
= 8毫安， F = 1.8千兆赫，P
in
= -10 dBm的
最高可用增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
在V集电极效率
CE
= 2.8 V，I
CQ
= 8毫安， F = 1.8千兆赫，
P
in
- 1 dBm的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 2千兆赫，ZS = Z
选择
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
反向传输电容
2
在V
CB
= 3 V，I
C
= 0中，f = 1 MHz的
4
DC
I
EBO
h
FE
P
1dB
G
L
RF
MAG
|S
21E
|
2
η
c
NF
f
T
CRE
注意事项：
1.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
µs,
占空比
≤
2 %.
2.集电极基极电容通过电容计（自动平衡电桥法）时，发射极管脚被连接到测量
电容计后卫脚。
日本三电子INDUSTRAIL协会
|S
21
|
4.
MAG =
|S
12
|
(
K ±
K
2
- 1
).
美国加州东部实验室
4
1.30
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
