NEC公司在提单上的Ku波段低噪声
放大器N沟道砷化镓MESFET
特点
•低噪声系数：
NF = 1.4 dB典型值，在f = 12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
NE67400
NE67483B
噪声系数，相关的增益
与频率的关系
24
V
DS
= 3 V
I
D
= 10毫安
20
•门宽：
W
G
= 280
µm
• GATE长度：
L
G
= 0.3
µm
3.0
G
A
16
2.0
12
描述
NEC的NE674是一个L到Ku波段低噪声砷化镓MESFET 。这
器件具有低噪声系数，高增益有关，
采用嵌入式0.3微米门和三外延
技术。在芯片的有源区覆盖带S
i
D
2
和S
i3
N
4
划痕的保护和表面稳定性。这
装置适用于两个放大器和振荡器应用。
该器件采用焊接密封的密封，金属
陶瓷封装用于空间应用的高可靠性。
1.0
8
NF
0
1
2
4
6
8 10
14
20
30
4
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
参数和条件
噪声系数在V
DS
= 3 V，I
D
= 10 mA时， F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
在V相关的增益
DS
= 3 V I
D
= 10 mA时， F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 12千兆赫，
V
DS
= 3 V，I
DS
= 30毫安
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
门源截止电压为V
DS
= 3 V，I
D
= 100
µA
跨在V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
门源漏电流在V
GS
= -5 V
热电阻（通道到案例）
NE67400
NE67483B
单位
dB
dB
dB
dB
民
NE67400
NE67483B
典型值
0.6
1.4
14.0
10.0
最大
1.6
G
A
8.5
P
1dB
DBM
mA
V
mS
µA
° C / W
° C / W
20
-0.5
20
14.5
40
-1.1
50
1.0
120
-3.5
100
10
190
450
I
DSS
V
GS （ OFF ）
g
m
I
GSO
R
TH（ CH-C ）
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
•高相关的增益：
G
A
= 10 dB典型值，在f = 12 GHz的
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
