NEC “
S
3W ， L / S波段
NE6500379A
中功率的GaAs MESFET
特点
•低成本的塑料表面贴装封装
可在磁带和卷轴
•可使用2.7 GHz的：
固定无线接入， ISM ， WLL ， MMDS ， IMT-2000 ，
个
5.7最大
0.6 – 0.15
4.2最大
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
1.5 – 0.2
来源
来源
门
漏
0.8 – 0.15
4.4 MAX
E
•高线性增益：
10分贝典型值在1.9 GHz的
•低热阻：
5℃ / W
T
9
0.4 – 0.15
5.7最大
1.0 MAX
0.8最大
3.6 – 0.2
0.2 – 0.1
描述
NEC的NE6500379A是一个3瓦的GaAs MESFET设计
中等功率固定无线接入， ISM ， WLL ， PCS ， IMT-
2000年，和返回路径MMDS发射机应用。这是
能够提供输出功率为3瓦具有较高的线性的
增益，高效率和卓越的线性度。可靠性和
性能均匀性是由NEC的严格的质保证
性和控制程序
注：除另有规定外，有容乃
±0.2
mm
电气特性
(T
C
产品型号
包装外形
符号
特征
电源输出的1分贝增益压缩
线性增益
1
功率附加效率
漏电流
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
栅极 - 漏极耐压
= 25°C)
NE6500379A
79A
单位
DBM
dB
%
A
A
V
° C / W
V
17
-3.6
9.0
民
典型值
35.0
10.0
50
1.0
4.5
-2.6
5
-1.6
6
V
DS
= 2.5 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V ;我
DS
= 21毫安
渠道情况
I
GD
= 21毫安
F = 1.9千兆赫，V
DS
= 6.0 V
RG = 30
Ω
I
DSQ
= 500 MA（ RF OFF）
2
最大
测试条件
实用
特征
P
1dB
G
L
η
添加
I
D
电力直流
特征
I
DSS
V
P
R
TH
BV
GD
注意事项：
1.引脚= 0 dBm的
2.直流性能进行了测试100％。每个晶片的几个样品进行测试，以便RF性能。晶圆拒收标准为标准设备1
拒绝了几个样品。
0.9 – 0.2
底部视图
美国加州东部实验室
1.2
最大
•高输出功率：
35 dBm的典型
X
门
漏
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
