初步数据表
3.5 V工作电压硅
RF功率MOSFET 1.9 GHZ NE5510179A
发送放大器
特点
•高输出功率：
29.5 dBm的典型
V
DS
= 3.5 V，I
DQ
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，P
IN
= 22 dBm的
•高线性增益：
11分贝TYP
V
DS
= 3.5 V，I
DQ
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，P
IN
= 5dBm的
•高功率附加效率：
50 ％ TYP
V
DS
= 3.5 V，I
DQ
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，P
IN
= 22 dBm的
•单电源：
2.8 〜6.0 V
•表面贴装封装：
5.7
x
5.7
x
1.1毫米MAX
4.2最大
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
1.5 – 0.2
来源
来源
5.7最大
0.6 – 0.15
X
门
漏
0.8 – 0.15
4.4 MAX
门
1.0 MAX
漏
1.2 MAX
0.8最大
3.6 – 0.2
5.7最大
8
0.4 – 0.15
描述
该NE5510179A是一个N沟道硅功率MOSFET
专门设计作为传输驱动放大器3.5
V GSM1800和GSM 1900手机。模具制造
使用NEC的NEWMOS技术（ NEC的0.6
µm
门的WSi
横向MOSFET ），并装在一个表面安装封装。
该器件可提供29.5 dBm的输出功率， 50 ％的电力
在在3.5 V电源电压1.9 GHz的附加效率，
或者可以在2.8 V通过改变提供29 dBm的输出功率
栅极电压作为电源控制功能。
应用
•数字蜂窝电话：
3.5 V GSM 1800 / GSM 1900 1级手机
•其他：
1.6 - 2.0 GHz的TDMA的应用
电气特性
(T
A
产品型号
包装外形
符号
I
GSS
I
DSS
V
TH
gm
R
DS （ ON）
BV
DSS
特征
栅极 - 源极漏电流
漏极至源极漏电流
栅极阈值电压
跨
漏极至源极导通电阻
漏极至源极击穿电压
V
= 25°C)
NE5510179A
79A
单位
nA
nA
V
S
民
典型值
0.9 – 0.2
最大
100
100
0.2 – 0.1
测试条件
V
GSS
= 6.0 V
V
DSS
= 8.5 V
V
DS
= 3.5 V，I
DS
=
1毫安
V
DS
= 3.5 V，I
DS1
=
300毫安，我
DS2
=
500毫安
V
GS
= 6.0 V, V
DS
=
0.5 V
I
DSS
= 10 A
1.0
1.35
0.82
0.5
2.0
20
24
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
