4.8 V工作电压RF硅
POWER MOSFET用于GSM1800和NE5500179A
GSM1900发送放大器
特点
•高输出功率：
29.5 dBm的典型值在V
DS
= 4.8 V，I
DQ
= 100毫安，
F = 1.9千兆赫，P
IN
= 20 dBm的
•高功率附加效率：
55 ％典型值在V
DS
= 4.8 V，I
DQ
= 100毫安，
F = 1.9千兆赫，P
IN
= 20 dBm的
•高线性增益：
14分贝典型值在V
DS
= 4.8 V，I
DQ
= 100毫安，
F = 1.9千兆赫，P
IN
= 0 dBm的
•表面贴装封装：
5.7
x
5.7
x
1.1毫米MAX
•单电源：
3.0至6.0V下
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
4.2最大
1.5
±
0.2
来源
来源
门
5.7最大
0.6
±
0.15
漏
0.8
±
0.15
4.4 MAX
门
1.0 MAX
漏
1.2 MAX
0.4
±
0.15
5.7最大
0.9
±
0.2
0.2
±
0.1
0.8最大
3.6
±
0.2
底部视图
描述
该NE5500179A是一个N沟道硅功率MOSFET
特别设计的传输功率扩增fi er为
4.8 V GSM1800和GSM1900手机。模具的制造
使用NEC的NEWMOS技术（ NEC的0.6捕获的原始图像
µm
WSI
栅极横向MOSFET ）和容纳在一个表面安装封装
年龄。该器件可提供29.5 dBm的输出功率，
55 ％的功率附加在4.8 V支持在1.9 GHz的效率
帘布层的电压，或能够提供27 dBm的输出功率为50％
的功率附加效率为3.5 V ，通过改变栅极电压
作为功率控制功能。
应用
•数字蜂窝电话
•数字无绳电话
•其他
电气特性
(T
A
产品型号
包装外形
符号
I
GSS
I
DSS
V
TH
gm
R
DS （ ON）
BV
DSS
特征
门源漏电流
漏极至源极漏电流
栅极阈值电压
跨
漏极至源极导通电阻
漏源击穿电压
= 25°C)
NE5500179A
79A
单位
nA
nA
V
S
-
V
民
-
-
1.0
-
-
20
典型值
-
-
1.35
0.41
1.00
24
最大
100
100
2.0
-
-
-
测试条件
V
GSS
= 6.0 V
V
DSS
= 8.5 V
V
DS
= 4.8 V，I
DS
= 1毫安
V
DS
= 4.8 V，I
DS
1 = 150 mA时，我
DS
2 = 250毫安
V
GS
= 6.0 V, V
DS
= 0.5 V
I
DSS
= 10 A
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
