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NE3515S02 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE3515S02
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内容描述: 异质结型场效应晶体管 [HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 415 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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异质结型场效应晶体管
NE3515S02
X到Ku波段超低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
•超低噪声系数,高增益相关和中等输出功率
NF = 0.3 dB典型值。 ,G
a
为12.5 dB典型值。 @ F = 12千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 10毫安
P
O( 1分贝)
= +14 dBm的典型。 @ F = 12千兆赫,V
DS
= 3 V,I
D
= 25 mA设定(非RF)
•微-X塑料( S02 )包
应用
• X到Ku波段的本地缓冲放大器,功率放大器驱动放大器,低噪声放大器,混频器
• DBS LNB , VSAT
•其他X到Ku波段通信系统
订购信息
产品型号
NE3515S02-T1C
NE3515S02-T1D
订单号
NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1D-A
S02 (无铅)
QUANTITY
2千件/卷
10千件/卷
记号
G
供给方式
•8毫米宽压纹带卷
•引脚4 (门)朝向侧穿孔
带的
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE3515S02 -A
绝对最大额定值(T
A
= +25C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
评级
4
3
I
DSS
100
165
+125
65
+125
单位
V
V
mA
A
mW
C
C
T
ch
T
英镑
安装在1.08厘米
2
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
:
观察时处理,因为这些器件对静电放电敏感的预防措施
一号文件PG10708EJ01V0DS (第1版)
发布日期2008年NS二月