砷化镓HJ - FET在提单上S波段
低噪声放大器
（新塑料包装）
特点
•低成本微型塑料包装
(SOT-343)
•低噪声系数：
0.6分贝典型的，在2 GHz的
•高相关的增益：
16.0分贝一般在2 GHz
• L
G
= 0.6
µ
M，W
G
= 400
µ
m
= &带卷盘包装
4
NE34018
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 3 V，I
DS
= 20毫安
25
20
噪声系数NF （ dB）的
3
15
10
2
5
0
描述
NEC的NE34018是一种低成本砷化镓异质Junc-
化FET封装在一个微型（ SOT- 343 ）塑料表面
贴装封装。该装置是采用离子implanta-制造
化，以提高RF和DC性能，可靠性和
均匀性。它的低噪声系数，增益高，体积小，
重量，使其在1-一个理想的低噪声放大器晶体管
3 GHz的频率范围内。该NE34018适合用于GPS ，
的PCS ，无线局域网， MMDS，和其他商业应用。
NEC严格的质量保证和测试程序恩
确保最高的可靠性和性能。
1
NF
0
0.5
1
2
3
4
5 6 7 8 910
频率f （ GHz）的
18包
SOT- 343型
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
G
A
P
1dB
参数和条件
噪声系数在V
DS
= 2 V，I
D
= 5毫安， F = 2 GHz的
在V相关的增益
DS
= 2 V，I
D
= 5毫安， F = 2 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 2 GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 3 V，I
DS
= 30毫安
增益P
1dB
， F = 2 GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 3 V，I
DS
= 30毫安
输出I
P3
在f = 2 GHz时，
∆f
= 1兆赫
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 30毫安
饱和漏极电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 100
µA
跨在V
DS
= 2 V，I
D
= 5毫安
门源漏电流在V
GS
= -3 V
热电阻（通道到环境）
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
DBM
mA
V
mS
µA
° C / W
30
-2.0
30
0.5
833
10
14.0
民
NE34018
18
典型值
0.6
16.0
12
16.5
17.0
17.5
23
32
80
-0.8
120
-0.2
最大
1.0
G
1dB
O / P I
P3
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
第（章-a）的
注意：
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些，当从大量材料50％的设备分别单独
在与输入单独调谐，得到最小值的电路测量的。最高值是在生产既定标准
线与调谐的"generic"类型但不为每个试样夹具一个"go -无go"筛分试验。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
G
A
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
