NEC的C TO Ka波段
超低噪声放大器
N沟道FET HJ片
特点
•超低噪声系数：
0.45分贝典型值在12千兆赫
•高相关的增益：
12.5分贝典型值在12千兆赫
µm
•门长度：L
G
= 0.20
µ
•门宽度：W
G
= 200
µ
m
89
25
13
漏
NE32500
外形尺寸
（单位
µm)
芯片
58
5.5
36.5
13
66
25
38
68
描述
NEC公司的NE32500是使用一个异质结场效应晶体管芯片
Si掺杂的AlGaAs和未掺杂的InGaAs之间的交界处
创造非常高的电子迁移率。其优异的低噪声系数
和高相关的增益，使其适合于商业
系统和工业应用。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
350
76.5
来源
来源
100.5
门
21
25
25
13
66
49.5
43
350
60
46.5
厚度= 140
µm
合区
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
G
A
I
DSS
g
m
I
GSO
V
GS
（关闭）
R
TH（ CH-C ）
参数和条件
噪声系数，V
DS
= 2 V，I
DS
= 10 mA时， F = 12 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2 V，I
DS
= 10 mA时， F = 12 GHz的
饱和漏极电流，V
DS
= 2 V,V
GS
= 0 V
跨导，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -3 V
门源截止电压， VDS = 2 V ， ID = 100
µA
热阻
1
（通道为例）
单位
dB
dB
mA
mS
µA
V
° C / W
-0.2
11.0
20
45
民
NE32500
00 （ CHIP ）
典型值
0.45
12.5
60
60
0.5
-0.7
10.0
-2.0
260
90
最大
0.55
注意：
1.射频性能是通过包装来确定，每个晶圆测试10芯片。
晶圆拒收标准为标准的设备为每10个样品不合格2 。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
