超低噪声
赝HJ FET
特点
•超低噪声系数：
0.35分贝典型值在f = 12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
NE321000
噪声系数&相关的增益与
漏电流
V
DS
= 2 V
F = 12 GHz的
15
G
A
14
13
2.0
1.5
1.0
0.5
NF
0
10
20
30
12
11
• GATE长度：
≤0.2
µm
•门宽：
160
µm
描述
NEC的NE321000是一个异质结场效应晶体管芯片，其利用
Si掺杂的AlGaAs和未掺杂的InGaAs之间的结
打造高电子迁移率。其优异的低噪声系数
和高相关的增益，使其适合于商业，
工业和空间应用。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
漏电流，我
D
（MA ）
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
G
A1
I
DSS
V
P
g
M
I
GSO
参数和条件
噪声系数，V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
饱和漏极电流，V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压，V
DS
= 2 V，I
D
= 100
µA
跨导，V
DS
= 2 V，I
D
= 10
µA
门源漏电流，V
GS
= -3 V
单位
dB
dB
mA
V
mS
µA
12.0
15
-0.2
40
民
NE321000
芯片
典型值
0.35
13.5
40
-0.7
55
0.5
10
70
-2.0
最大
0.45
注意：
1.射频性能是通过包装来确定，测试10个样本每片晶圆。晶圆拒收标准为标准的设备为每2不合格
10个样品。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
•高相关的增益：
13.0分贝典型值在f = 12 GHz的
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
