欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NDL5531PD 参数 Datasheet PDF下载

NDL5531PD图片预览
型号: NDL5531PD
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1000至1600年纳米光纤通信30μm的铟镓砷雪崩光电二极管模块 [1000 to 1600 nm OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS 30um InGaAs AVALANCHE PHOTO DIODE MODULE]
分类和应用: 光纤光电二极管光电二极管局域网通信
文件页数/大小: 5 页 / 47 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
 浏览型号NDL5531PD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDL5531PD的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDL5531PD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDL5531PD的Datasheet PDF文件第5页  
1000至1600年纳米光学
光纤通信
φ30 µm
砷化铟镓
雪崩光电二极管模块
特点
小暗电流:
I
D
= 5 NA
小型终端电容:
C
T
= 0.35 pF的0.9 V
( BR )R
高量子效率:
η
= 90% ,在
λ
= 1 300纳米, M = 1
η
= 77 %
λ
= 1 550纳米, M = 1的
高速响应:
f
c
=在m的2.5 GHz = 10
检测区域SIZE :
φ30 µm
同轴模块,单模光纤
(SM-9/125)
NDL5531P
系列
描述
该NDL5531P系列的InGaAs雪崩光电二极管
与单模光纤模块。它是专为检测器
长波长传输系统。该系列涵盖了
1000和1600纳米之间的波长范围。
光电特性
(T
C
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
V
( BR )R
δ
I
D
I
DM
C
t
f
C
η
S
M
X
F
参数和条件
反向击穿电压,I
D
= 100
µA
反向击穿温度系数
电压
1
暗电流,V
R
= V
( BR )R
x 0.9
相乘的暗电流,M = 2〜10的
终端电容,V
R
= V
( BR )R
×0.9 , F = 1兆赫
截止频率, M = 10
量子效率,
λ
= 1 300纳米, M = 1
λ
= 1 550纳米, M = 1的
响应,
λ
= 1 300纳米, M = 1
λ
= 1 550纳米, M = 1的
倍增系数,
λ
= 1 300 nm的,我
PO
= 1.0
µA,
V
R
= V (在我
D
= 1
µA)
多余的噪声系数
2
,
λ
= 1300纳米, 1 550纳米,
I
PO
= 1.0
µA,
M = 10 , F = 35 MHz时, B = 1兆赫
V
( BR )R
< 25 ° C +
ΔT ℃,
> - V
( BR )R
< 25 ° C>
ΔT ℃,
> - V
( BR )R
< 25 ° C>
单位
V
%/°C
nA
nA
pF
GHz的
%
/ W
2.5
76
65
0.80
0.81
30
90
77
0.94
0.96
40
0.7
5
50
NDL5531P系列
典型值
70
0.2
5
1
0.35
25
5
0.60
最大
100
M
注: 1 。
δ
=
2. ˚F = M
X
美国加州东部实验室