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NE68718-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE68718-T1-A图片预览
型号: NE68718-T1-A
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内容描述: 表面贴装NPN硅高频三极管 [SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 22 页 / 315 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE687 SERIES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)  
NE68730  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25˚C)  
SYMBOLS  
PARAMETERS  
UNITS  
RATINGS  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
(dB)  
ΓOPT  
VCBO  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
V
V
5
3
MAG  
ANG  
Rn/50  
VCEO  
VEBO  
IC  
VCE = 1.0 V, IC = 3.0 mA  
V
2
500  
800  
1000  
1500  
2000  
1.10  
1.19  
1.25  
1.36  
1.50  
17.66  
14.48  
12.93  
9.61  
0.47  
0.39  
0.34  
0.29  
0.24  
15  
33  
45  
57  
73  
0.28  
1.20  
0.28  
0.27  
0.27  
mA  
30  
TJ  
Operating Junction  
Temperature  
°C  
°C  
150  
7.52  
TSTG  
Storage Temperature  
-65 to +150  
VCE = 2.0 V, IC = 3.0 mA  
Note:  
500  
800  
1000  
1500  
2000  
1.10  
1.19  
1.25  
1.36  
1.50  
18.60  
15.10  
13.40  
10.30  
8.10  
0.40  
0.35  
0.31  
0.26  
0.23  
12  
24  
33  
44  
58  
0.30  
0.22  
0.26  
0.28  
0.28  
1. Operation in excess of any one of these parameters may result  
in permanent damage.  
VCE = 2.0 V, IC = 20.0 mA  
NE68718  
500  
800  
2.00  
2.06  
2.10  
2.20  
2.34  
2.46  
20.30  
16.70  
15.00  
11.90  
9.80  
0.02  
0.06  
0.08  
0.12  
0.14  
0.18  
-170  
171  
172  
178  
-175  
-160  
0.23  
0.15  
0.28  
0.24  
0.24  
0.23  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25˚C)  
1000  
1500  
2000  
2500  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
(dB)  
ΓOPT  
MAG  
ANG  
Rn/50  
6.70  
VCE = 0.5 V, IC = 0.5 mA  
500  
800  
1000  
1.10  
1.31  
1.41  
13.07  
11.23  
9.36  
0.72  
0.67  
0.65  
30  
54  
67  
1.00  
0.65  
0.55  
NE68739  
VCE = 1.0 V, IC = 1.0 mA  
500  
800  
1000  
1500  
2000  
0.93  
1.08  
1.20  
1.48  
1.72  
16.53  
13.44  
12.21  
8.53  
0.63  
0.59  
0.55  
0.46  
0.37  
27  
47  
62  
83  
107  
0.56  
0.39  
0.36  
0.34  
0.28  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25˚C)  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
(dB)  
ΓOPT  
MAG  
ANG  
Rn/50  
6.50  
VCE = 0.5 V, IC = 0.5 mA  
VCE = 1.0 V, IC = 3 mA  
500  
800  
1000  
1.23  
1.37  
1.45  
15.7  
10.9  
8.7  
0.77  
0.71  
0.60  
36  
46  
64  
0.61  
0.61  
0.50  
500  
800  
1.10  
1.15  
1.20  
1.38  
1.60  
1.82  
2.00  
18.68  
15.74  
13.90  
10.63  
8.43  
0.48  
0.40  
0.36  
0.28  
0.21  
0.14  
0.16  
23  
48  
58  
0.28  
0.25  
0.24  
0.21  
0.20  
0.18  
0.13  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
VCE = 1.0 V, IC = 3.0 mA  
81  
500  
800  
1000  
1500  
2000  
2500  
1.07  
1.13  
1.18  
1.30  
1.50  
1.66  
18.0  
14.8  
13.2  
10.5  
8.0  
0.48  
0.39  
0.32  
0.23  
0.12  
0.16  
30  
49  
60  
76  
120  
-172  
0.31  
0.28  
0.26  
0.24  
0.20  
0.15  
104  
151  
-167  
7.04  
5.84  
VCE = 2 V, IC = 3 mA  
7.0  
500  
800  
1.10  
1.15  
1.20  
1.38  
1.60  
1.82  
2.00  
19.83  
16.61  
14.85  
11.83  
9.49  
0.50  
0.42  
0.38  
0.29  
0.23  
0.14  
0.13  
21  
39  
48  
74  
91  
0.26  
0.26  
0.25  
0.24  
0.22  
0.20  
0.12  
VCE = 2.0 V, IC = 3.0 mA  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
500  
800  
1.07  
1.13  
1.18  
1.30  
1.50  
1.66  
1.86  
18.6  
15.5  
14.0  
11.2  
9.3  
0.46  
0.37  
0.32  
0.20  
0.12  
0.14  
0.23  
26  
38  
46  
0.28  
0.28  
0.26  
0.25  
0.19  
0.17  
0.10  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
8.16  
6.93  
135  
177  
66  
113  
177  
-157  
VCE = 2 V, IC = 10 mA  
7.8  
6.6  
500  
800  
1.60  
1.62  
1.65  
1.73  
1.80  
2.00  
2.19  
22.57  
18.75  
16.91  
13.52  
11.17  
9.48  
0.13  
0.11  
0.09  
0.07  
0.06  
0.08  
0.13  
19  
48  
67  
100  
143  
-161  
-133  
0.27  
0.26  
0.25  
0.24  
0.22  
0.20  
0.16  
VCE = 2.0 V, IC = 20.0 mA  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
500  
800  
1.93  
1.95  
2.00  
2.15  
2.30  
2.40  
2.52  
21.2  
17.6  
16.0  
12.9  
10.6  
9.0  
0.08  
0.14  
0.16  
0.21  
0.26  
0.31  
0.46  
-150  
-138  
-134  
-127  
-123  
-121  
-114  
0.22  
0.17  
0.17  
0.24  
0.25  
0.25  
0.24  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
8.18  
7.7