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NE68130-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE68130-T1-A图片预览
型号: NE68130-T1-A
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管ISM频段放大器
文件页数/大小: 21 页 / 627 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE681 SERIES  
NE68133  
NE68139  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
VCE = 2.5 V, IC = 0.3 mA  
VCE = 2.5 V, IC = 0.3 mA  
500  
1.21  
12.45  
0.75  
47  
1.15  
500  
800  
1.20  
1.45  
1.67  
14.10  
8.42  
8.37  
0.78  
0.75  
0.68  
47  
72  
95  
1.28  
0.84  
0.56  
800  
1000  
1500  
1.69  
1.95  
2.52  
7.72  
5.96  
3.12  
0.74  
0.68  
0.63  
72  
88  
0.97  
0.71  
0.34  
1000  
122  
VCE = 2.5 V, IC = 1 mA  
VCE = 2.5 V, IC = 1.0 mA  
500  
800  
0.90  
1.10  
1.26  
1.70  
2.20  
15.71  
12.30  
11.66  
8.85  
0.63  
0.56  
0.53  
0.49  
0.57  
44  
72  
0.43  
0.26  
0.20  
0.12  
0.07  
500  
800  
.92  
14.52  
10.57  
9.29  
0.68  
0.63  
0.57  
0.50  
0.44  
47  
70  
0.42  
0.34  
0.30  
0.17  
0.11  
1.20  
1.35  
1.71  
2.00  
1000  
1500  
2000  
98  
1000  
1500  
2000  
87  
145  
178  
6.53  
120  
168  
7.12  
5.53  
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA  
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA  
500  
800  
0.88  
1.00  
1.08  
1.30  
1.80  
18.20  
14.62  
13.29  
10.54  
8.60  
0.45  
0.39  
0.37  
0.35  
0.43  
44  
73  
0.25  
0.19  
0.16  
0.09  
0.07  
500  
800  
0.86  
1.00  
1.08  
1.25  
1.40  
16.37  
12.41  
11.07  
8.61  
0.54  
0.51  
0.46  
0.36  
0.35  
47  
67  
0.24  
0.20  
0.18  
0.12  
0.10  
1000  
1500  
2000  
99  
151  
-177  
1000  
1500  
2000  
86  
128  
172  
VCE = 8 V, IC = 7 mA  
6.99  
500  
1.15  
1.25  
1.4  
20.50  
15.62  
12.49  
10.48  
8.00  
0.26  
0.16  
0.20  
0.31  
0.53  
0.71  
42  
0.17  
0.14  
0.09  
0.14  
0.48  
0.90  
1000  
1500  
2000  
3000  
4000  
133  
176  
-165  
-123  
-101  
1.6  
2.15  
3.0  
6.81  
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)  
NE68100 & NE68135  
INSERTION GAIN vs.  
COLLECTOR CURRENT  
FORWARD INSERTION GAIN  
AND MAXIMUM AVAILABLE GAIN  
vs. FREQUENCY  
30  
12  
10  
V
CE = 8 V  
f = 2 GHz  
V
CE = 8 V  
I
C = 20 mA  
25  
2
f = 3 GHz  
f = 4 GHz  
|S21E  
|
NE68100  
NE68135  
MAG  
8
6
4
20  
15  
10  
2
|S21E  
|
NE68133  
MAG  
5
0
2
0
0.1  
0.2 0.3 0.5 0.7  
1
2
3
5
7
10  
1
2
3
5
7
10  
20 30  
50  
Frequency, f (GHz)  
Collector Current, IC (mA)