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NE5550279A-T1A-A 参数 Datasheet PDF下载

NE5550279A-T1A-A图片预览
型号: NE5550279A-T1A-A
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内容描述: [Silicon Power LDMOS FET]
分类和应用: 晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 772 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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A Business Partner of Renesas Electronics Corporation.  
NE5550279A  
TYPICAL CHARACTERISTICS 1 (TA = 25°C)  
R: f = 460 MHz, VDS = 3.6/4.5/6/7.5/9 V, IDset = 40 mA, Pin = 10 to 20 dBm  
IM: f1 = 460 MHz, f2 = 461 MHz, VDS = 3.6/4.5/6/7.5/9 V, IDset = 40 mA, Pout (2 tone) = 8 to 32 dBm  
POWER GAIN, POWER ADDED  
EFFICIENCY vs. INPUT POWER  
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT  
vs. INPUT POWER  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
1
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
P
P
P
P
P
out - 3.6 V  
out - 4.5 V  
out - 6.0 V  
out - 7.5 V  
out - 9.0 V  
G
G
G
G
G
p
p
p
p
p
- 3.6 V  
- 4.5 V  
- 6.0 V  
- 7.5 V  
- 9.0 V  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
IDS - 3.6 V  
IDS - 4.5 V  
IDS - 6.0 V  
IDS - 7.5 V  
IDS - 9.0 V  
add - 3.6 V  
add - 4.5 V  
add - 6.0 V  
add - 7.5 V  
add - 9.0 V  
η
0
5  
0.2  
0.1  
0
10  
0
–15 –10 –5  
0
5
10  
15  
20  
25  
–15 –10 –5  
0
5
10  
15  
20  
25  
Input Power Pin (dBm)  
Input Power Pin (dBm)  
IM3  
/IM5  
vs. 2 TONES OUTPUT POWER  
2f0  
, 3f vs. OUTPUT POWER  
0
0
10  
20  
–30  
–40  
–50  
–60  
–70  
0
2f  
2f  
2f  
2f  
2f  
0
0
0
0
0
- 3.6 V  
- 4.5 V  
- 6.0 V  
- 7.5 V  
- 9.0 V  
IM  
IM  
IM  
IM  
IM  
IM  
IM  
IM  
IM  
IM  
3
- 3.6 V  
- 4.5 V  
- 6.0 V  
- 7.5 V  
- 9.0 V  
- 3.6 V  
- 4.5 V  
- 6.0 V  
- 7.5 V  
- 9.0 V  
3
3
3
3
5
5
5
5
5
10  
20  
–30  
–40  
–50  
–60  
–70  
3f0  
3f0  
3f0  
3f0  
3f0  
- 3.6 V  
- 4.5 V  
- 6.0 V  
- 7.5 V  
- 9.0 V  
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
2 Tones Output Power Pout (2 tone) (dBm)  
Output Power Pout (dBm)  
Remark The graphs indicate nominal characteristics.  
R09DS0033EJ0200 Rev.2.00  
Jul 04, 2012  
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